vSAN のメモリまたは SSD の輻輳がしきい値制限に達した
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vSAN のメモリまたは SSD の輻輳がしきい値制限に達した

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Article ID: 315572

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Products

VMware vSAN

Issue/Introduction

Symptoms:

サマリ

このアラートは、vSAN クラスタの一部である ESXi ホストで、内部 vSAN メモリ (LSOM) または フラッシュ デバイス(SSD)が、事前定義された輻輳しきい値(congestion Threshold)を超えたと判定された場合に送信されます。

このアラートの例は、次のとおりです。

LSOM Memory Congestion State: Exceeded. congestion Threshold: 200 Current Congestion: 201.
LSOM SSD Congestion State: Exceeded.
 congestion Threshold: 200 Current Congestion: 201.

vSAN の輻輳は、ストレージ サブシステムの下位レイヤーで I/O 速度が、上位レイヤーの I/O 速度に追いつけなくなった場合に発生します。

Local Log Structured Object Management (LSOM) は、物理ディスク レベル(フラッシュ デバイスおよび磁気ディスクの両方)で機能する vSAN の内部コンポーネントです。LSOM は、コンポーネントの読み取りキャッシュと書き込みバッファも処理します。

SSD は、vSAN ディスク グループのキャッシュ デバイスです。

LSOM メモリの輻輳状態および LSOM SSD の輻輳状態は、フラッシュ デバイス レイヤーへの書き込み速度を低下させるように vSAN が仮想マシンで意図的に遅延を導入した場合に発生します。

影響

輻輳が観測される期間においては、仮想マシンで長い遅延が発生します。

vSAN はスロットリング メカニズムを使用してすべてのレイヤーが確実に同じ I/O 速度で実行するようにするため、短期間の輻輳が発生する場合があります。

輻輳の値は、大きいと遅延を示すため、小さい方が望ましいです。ただし、通常は輻輳が長期化することはなく、ほとんどの場合は輻輳がゼロに近くなります。

Environment

VMware vSAN 7.0.x
VMware vSAN 8.0.x

Resolution

仮想マシンが大量の書き込み操作を実行すると、フラッシュ キャッシュ デバイスが書き込みバッファでいっぱいになってしまう可能性があります。これらのバッファは、ハイブリッド構成で磁気ディスクにデステージする必要があります。デステージは、ハイブリッド構成の磁気ディスクが処理できる速度でのみ実行できます。

輻輳のその他の理由は、以下に関連する場合があります。
  • ハードウェア障害
  • 破損した、または正しく機能していないドライバまたはファームウェア
  • I/O コントローラのキュー深度が不十分である
  • 指定された vSAN 展開である


輻輳レベルがしきい値を下回ると、ESXi で以下の様なイベントが発生します。

LSOM Memory Congestion State: Normal. congestion Threshold: 200 Current Congestion: 190.
LSO SSD Congestion State: Normal. 
congestion Threshold: {3} Current Congestion: 190.


vSAN 健全性チェックを使用して、vSAN の輻輳を監視できます。ただし、しきい値を超える輻輳が発生している場合は、できるだけ早く VMware サポートにサービス リクエストを提出する必要があります。

Additional Information